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HBN2515S6R

Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

Features ?TwoBTD2515chipsinaSOT-363package. ?MountingpossiblewithSOT-323automaticmountingmachines. ?Transistorelementsareindependent,eliminatinginterference. ?Mountingcostandareacanbecutinhalf. ?LowVCE(sat),VCE(sat)=25mV(max),atIC/IB=10mA/0.5mA. ?Wei

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

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更多HBN2515S6R供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-28 11:12:00

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