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ISF1125	文件：304.23 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION ·DrainCurrent–ID=140A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=34mΩ(max)@VGS=10V ·Fast-recoverybodydiode APPLICATIONS ·DC-DCcoverters ·ACandDCmotorcontrol ·Batterychargers ·Uninterruptedpowersupplies	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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