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H8250RBDA	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝封裝/外殼：軸向類別：電阻器通孔式電阻器描述：RES 250 OHM 0.1% 1/4W AXIAL	TEConnectivityPassiveProductTE Connectivity Passive Product 泰科電子泰科電子有限公司	TEConnectivityPassiveProduct
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INS8250	文件：91.14 Kbytes Page：8 Pages	AComparisonoftheINS8250,NS16450andNS16550AFSeriesofUARTs	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
INS8250A	文件：91.14 Kbytes Page：8 Pages	AComparisonoftheINS8250,NS16450andNS16550AFSeriesofUARTs	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
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INS8250-B	文件：91.14 Kbytes Page：8 Pages	AComparisonoftheINS8250,NS16450andNS16550AFSeriesofUARTs	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
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IRH8250	文件：317.57 Kbytes Page：12 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTOR InternationalRectifier’sRADHardHEXFET?technologyprovideshighperformancepowerMOSFETsforspaceapplications.Thistechnologyhasoveradecadeofprovenperformanceandreliabilityinsatelliteapplications.ThesedeviceshavebeencharacterizedforbothTotalDoseandSingleEventEffect	IRF International Rectifier	IRF
IRHM8250	文件：271.02 Kbytes Page：12 Pages	RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-254AA) RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-254AA) InternationalRectifier’sRAD-HardTMHEXFET?technologyprovideshighperformancepowerMOSFETsforspaceapplications.Thistechnologyhasoveradecadeofprovenperformanceandreliabilityinsatelliteapplications.Thesedeviceshavebeen	IRF International Rectifier	IRF
IRHM8250	文件：264.68 Kbytes Page：12 Pages	RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETTHRU-HOLE RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-254AA) InternationalRectifier’sRAD-HardTMHEXFET?technologyprovideshighperformancepowerMOSFETsforspaceapplications.Thistechnologyhasoveradecadeofprovenperformanceandreliabilityinsatelliteapplications.Thesedeviceshavebeen	IRF International Rectifier	IRF
IRHMJ8250	文件：330.21 Kbytes Page：12 Pages	RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETSURFACEMOUNT(TO-254AATabless)	IRF International Rectifier	IRF
IRHN8250	文件：587.02 Kbytes Page：14 Pages	TRANSISTORN-CHANNEL(BVdss=200V,Rds(on)=0.10ohm,Id=26A) 200Volt,0.10?,MEGARADHARDHEXFET InternationalRectifier’sMEGARADHARDtechnologyHEXFETpowerMOSFETsdemonstrateexcellentthresholdvoltagestabilityandbreakdownvoltagestabilityattotalradiationdosesashighas1x106Rads(Si).Underidenticalpre-andpost-radiationtestcondi	IRF International Rectifier	IRF
KMPC8250ACZUMHBC	文件：951.51 Kbytes Page：62 Pages	HardwareSpecifications	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體	freescale
KPC8250ETL	文件：282.18 Kbytes Page：11 Pages	8PINPHOTODARLINGTONPHOTOCOUPLER	COSMO COSMO Electronics Corporation	COSMO
KPC8250ETLD	文件：282.18 Kbytes Page：11 Pages	8PINPHOTODARLINGTONPHOTOCOUPLER	COSMO COSMO Electronics Corporation	COSMO
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KPC8250ETRU	文件：282.18 Kbytes Page：11 Pages	8PINPHOTODARLINGTONPHOTOCOUPLER	COSMO COSMO Electronics Corporation	COSMO
MPC8250	文件：956.48 Kbytes Page：2 Pages	CodeWarriorDevelopmentStudio Thisdocumentcontainsdetailedinformationonpowerconsiderations,DC/ACelectricalcharacteristics,andACtimingspecificationsfortheMPC8250PowerQUICCII?communicationsprocessor. Thefollowingtopicsareaddressed: TheMPC8250isavailableintwopackages—thestandardTBGApackage(480	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體	freescale
MPC8250	文件：1.07291 Mbytes Page：60 Pages	HardwareSpecifications	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體	freescale
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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
H8250RBDA
制造商：
TE Connectivity Passive Product
類別：
電阻器 > 通孔式電阻器
系列：
Holco, Holsworthy
包裝：
散裝
容差：
±0.1%
功率 (W)：
0.25W，1/4W
成分：
金屬薄膜
特性：
脈沖耐受
溫度系數(shù)：
±25ppm/°C
工作溫度：
-55°C ~ 155°C
封裝/外殼：
軸向
供應(yīng)商器件封裝：
軸向
大小 / 尺寸：
0.098" 直徑 x 0.283" 長(zhǎng)（2.50mm x 7.20mm）
描述：
RES 250 OHM 0.1% 1/4W AXIAL

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司	H8250RBDA	TE	24+	con	35960	查現(xiàn)貨到京北通宇商城	詢價(jià)
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更多H8250RBDA供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-30 9:30:00

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