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H30R1103中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

H30R1103
廠商型號

H30R1103

功能描述

Reverse conducting IGBT with monolithic body diode

文件大小

2.05032 Mbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-1 8:50:00

H30R1103規(guī)格書詳情

Features:

?Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltage

designedforsoftcommutationonly

?Verytightparameterdistribution

?Highruggedness,temperaturestablebehavior

?LowVCEsat

?Easyparallelswitchingcapabilityduetopositivetemperature

coefficientinVCEsat

?LowEMI

?QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications

?Pb-freeleadplating;RoHScompliant

?CompleteproductspectrumandPSpiceModels:

http://www.infineon.com/igbt/

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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