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H2N7000中文資料華汕電子器件數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

H2N7000
廠商型號(hào)

H2N7000

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

429.29 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD
企業(yè)簡稱

Huashan華汕電子器件

中文名稱

汕頭華汕電子器件有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-7 22:30:00

H2N7000規(guī)格書詳情

General Description

These products have been designed to minimize on-state resistance While provide rugged, reliable, and fast switching performance. These products are particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and other switching applications.

Features

● High density cell design for low Rds(on).

● Voltage controlled small signal switch.

● Rugged and reliable.

● High saturation current capability.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    H2N7000

  • 制造商:

    HSMC

  • 制造商全稱:

    HSMC

  • 功能描述:

    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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