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H25R1202中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

H25R1202
廠商型號

H25R1202

功能描述

Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

文件大小

407.7 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-10-27 22:59:00

H25R1202規(guī)格書詳情

Features:

? Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage

? Body diode clamps negative voltages

? Trench and Fieldstop technology for 1200 V applications offers :

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behavior

? NPT technology offers easy parallel switching capability due to

positive temperature coefficient in VCE(sat)

? Low EMI

? Qualified according to JEDEC1 for target applications

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Applications:

? Inductive Cooking

? Soft Switching Applications

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