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H12N60中文資料華昕數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

H12N60
廠商型號(hào)

H12N60

功能描述

N-Channel Power MOSFET (600V,12A)

文件大小

156.36 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Hi-Sincerity Mocroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

HSMC華昕

中文名稱

華昕科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-22 20:00:00

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H12N60規(guī)格書詳情

Features

? H10N60F is a High voltage NChannel enhancement mode power MOSFET chip fabricated in advanced silicon epitaxial planar technology

? Advanced termination scheme to provide enhanced voltageblocking capability

? Avalanche Energy Specified

? Source to Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode;

? The packaged product is widely used in AC-DC power suppliers, DCDC converters and Hbridge PWM motor drivers

Applications

? Switch Mode Power Supply

? Uninterruptable Power Supply

? High Speed Power Switching

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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