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H11D2-X007中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

H11D2-X007
廠商型號(hào)

H11D2-X007
功能描述

Optocoupler, Phototransistor Output, With Base Connection, High BVCEO Voltage
文件大小

196.19 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay【威世科技】

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-3 15:54:00

H11D2-X007規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

? Very high collector emitter breakdown voltage?

BVCEO = 300 V

? Isolation test voltage: 5000 VRMS

? Low coupling capacitance

? High common mode transient immunity

? Material categorization:?

for definitions of compliance please see

www.vishay.com/doc?99912

AGENCY APPROVALS

? UL1577

? cUL1577

? DIN EN 60747-5-5 (VDE 0884-5) available with option 1

APPLICATIONS

? Telecom

? Industrial controls

? Battery powered equipment

? Office machines

? Programmable controllers

DESCRIPTION

The H11Dx has a GaAs infrared emitting diode emitter,

which is optically coupled to a silicon planar phototransistor

detector, and is incorporated in a plastic DIP-6 package.

It features a high current transfer ratio, low coupling

capacitance, and high isolation voltage.

The coupling device is designed for signal transmission

between two electrically separated circuits.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    H11D2-X007

  • 功能描述：

    晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 20%

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay Semiconductors

  • 輸入類型：

    DC

  • 最大集電極/發(fā)射極電壓：

    70 V

  • 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓：

    0.4 V

  • 絕緣電壓：

    5300 Vrms

  • 電流傳遞比：

    100 % to 200 %

  • 最大正向二極管電壓：

    1.65 V

  • 最大輸入二極管電流：

    60 mA

  • 最大集電極電流：

    100 mA

  • 最大功率耗散：

    100 mW

  • 最大工作溫度：

    + 110 C

  • 最小工作溫度：

    - 55 C

  • 封裝/箱體：

    DIP-4

  • 封裝：

    Bulk

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