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GTRA384802FC-V1-R2

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 400 W, 48 V, 3600 – 3800 MHz

Description TheGTRA384802FCisa400-watt(P3dB)GaNonSiChigh electronmobilitytransistor(HEMT)foruseinmulti-standard cellularpoweramplifierapplications.Itfeaturesinputand outputmatching,highefficiency,andathermally-enhanced packagewithearlessflange. Features ?Ga

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

GTRA384802FC-V1-R2

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 400 W, 48 V, 3600 ??3800 MHz

CreeCree, Inc

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更多GTRA384802FC-V1-R2供應(yīng)商 更新時間2024-12-26 9:31:00

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