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GT50G321中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

GT50G321
廠商型號

GT50G321

功能描述

TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT

文件大小

287.48 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-18 23:00:00

GT50G321規(guī)格書詳情

The 4th Generation

Current Resonance Inverter Switching Applications

? FRD included between emitter and collector

? Enhancement-mode

? High speed: tf = 0.30 μs (typ.) (IC = 60 A)

? Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.8 V (typ.) (IC = 60 A)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    GT50G321

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全稱:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TOSHIBA/東芝
23+
NA/
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優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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TOSHIBA
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MODULE
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專營國產(chǎn)功率器件
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TOSHIBA
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TOS
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TO-3PL-3
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TOSHIBA
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TO3PL
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原裝正品,自己庫存 假一罰十
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