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GT40T301

DiscreteIGBTs

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

GT40T301

SiliconNChannelIGBTParallelResonanceInverterSwitchingApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

GT40T301

InsulatedGateBipolarTransistorSiliconNChannelIGBT

ParallelResonanceInverterSwitchingApplications ??????? ?FRDincludedbetweenemitterandcollector ?Enhancementmodetype ?HighspeedIGBT:tf=0.25μs(typ.)(IC=40A) FRD:trr=0.7μs(typ.)(di/dt=?20A/μs) ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=3.7V(

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多GT40T301D供應(yīng)商 更新時間2024-11-17 10:00:00

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