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GT30J311

N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

DiscreteIGBTs(PDF:875KB)03/2011: http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 *GT30G124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:430V -IGBTCurrentRatingIC(A)@Ta=25C:200A *GT30J124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:600V -IGBTCurrentRatingIC(

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

GT30J322

N CHANNEL MOS TYPE ( THE 4TH GENERATION CURRENT RESONANCE INVERTER SWITCHING APPLICATIONS)

DiscreteIGBTs(PDF:875KB)03/2011: http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 *GT30G124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:430V -IGBTCurrentRatingIC(A)@Ta=25C:200A *GT30J124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:600V -IGBTCurrentRatingIC(

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

GT30J322

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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GT30J324

Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

HighPowerSwitchingApplications FastSwitchingApplications ?Fourth-generationIGBT ?Enhancementmodetype ?Fastswitching(FS):Operatingfrequencyupto50kHz(reference) Highspeed:tf=0.05μs(typ.) Lowswitchingloss:Eon=1.00mJ(typ.)

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GT30J324

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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GT30J341

Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT

1.Applications ?MotorDrivers 2.Features (1)Sixthgeneration (2)Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.5V(typ.)(IC=30A) (3)Highjunctiontemperature:Tj=175?°C(max) (4)FRDincludedbetweenemitterandcollector

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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GT30F124

Discrete IGBTs

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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GT30F124

MOSFET 600V 200A IGBT

AGELECTRONICA

AG Electronica

GT30F125

Discrete IGBTs

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

GT30F126

MOSFET 600V 200A IGBT

AGELECTRONICA

AG Electronica

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    GT30

  • 制造商：

    3M Electronic Products Division

  • 功能描述：

    CLOTH TAPE BLACK 50MM X 50M

  • 功能描述：

    CLOTH TAPE BLACK 50MM X 50M; Tape

  • Type：

    Duct; Tape Backing

  • Material：

    PE(Polyethylene); Tape Width -

  • Metric：

    50mm; Tape Width -

  • Imperial：

    1.97"; Tape Length -

  • Metric：

    50m; Tape Length -

  • Imperial：

    164.04ft; Tape

  • Colour：

    Black;

  • Colour：

    Black; ;RoHS

  • Compliant：

    NA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TOSHIBA
24+/25+
33
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)
 詢價
CLOBESPAN
24+
PLCC68
80
詢價
TOSHIBA
06+
TO-247
10000
自己公司全新庫存絕對有貨
 詢價
MIT
23+
模塊
350
全新原裝正品,量大可訂貨!可開17%增值票!價格優(yōu)勢!
 詢價
TOSHIBA
2016+
TO3P
2980
公司只做原裝,假一罰十,可開17%增值稅發(fā)票!
 詢價
TOSHIBA
2020+
TO220F
2835
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
TOSHIBA
23+
TO-3P
5000
原裝正品,假一罰十
 詢價
TOSHIBA
23+
TO-247
3000
全新原裝
 詢價
NA
24+
TO-220F
5000
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨
 詢價
Toshiba
24+
NA
3234
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
 詢價
更多GT30供應(yīng)商 更新時間2025-4-18 17:52:00

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