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GT20N135SRA分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
GT20N135SRA |
參數(shù)屬性 | GT20N135SRA 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=40A |
功能描述 | Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT |
文件大小 |
649.83 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
10 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Toshiba Semiconductor |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
TOSHIBA【東芝】 |
中文名稱 | 株式會(huì)社東芝官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2024-12-25 17:00:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
GT20N135SRA,S1E
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.4V @ 15V,40A
- 開關(guān)能量:
-,700μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 測(cè)試條件:
300V,40A,39 歐姆,15V
- 工作溫度:
175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247
- 描述:
D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=40A
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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