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GT20N135SRA分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

GT20N135SRA
廠商型號(hào)

GT20N135SRA

參數(shù)屬性

GT20N135SRA 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=40A

功能描述

Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT

文件大小

649.83 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2024-12-25 17:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    GT20N135SRA,S1E

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,40A

  • 開關(guān)能量:

    -,700μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 測(cè)試條件:

    300V,40A,39 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247

  • 描述:

    D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=40A

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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