GT20J341 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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原廠料號:GT20J341

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GT20J341是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝TO-220F/TO-220-3 整包的GT20J341晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號:

    GT20J341

  • 規(guī)格書:

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱:

    TOSHIBA【東芝】詳情

  • 廠商全稱:

    Toshiba Semiconductor

  • 中文名稱:

    株式會社東芝

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    10 頁

  • 文件大?。?/span>

    251.62 kb

  • 資料說明:

    Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    GT20J341,S4X(S

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,20A

  • 開關(guān)能量:

    500μJ(開),400μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    60ns/240ns

  • 測試條件:

    300V,20A,33 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220SIS

  • 描述:

    DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220S

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市匯萊威科技有限公司

  • 商鋪:

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    司先生

  • 手機:

    18126328660

  • 詢價:
  • 電話:

    0755-82785677

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華富路1046號華康大夏2棟503