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GT20J341 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 XTW

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原廠料號(hào)：GT20J341品牌：XTW

絕對(duì)原廠支持只做自己現(xiàn)貨優(yōu)勢(shì)

GT20J341是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商XTW/Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝QFN/TO-220-3 整包的GT20J341晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    GT20J341

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    TOSHIBA【東芝】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    Toshiba Semiconductor

  • 中文名稱(chēng)：

    株式會(huì)社東芝

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    10 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    251.62 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    GT20J341,S4X(S

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，20A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    500μJ（開(kāi)），400μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    60ns/240ns

  • 測(cè)試條件：

    300V，20A，33 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220SIS

  • 描述：

    DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220S

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市粵駿騰電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    蔡蔡

  • 手機(jī)：

    13530559292

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82532966/82530833/13530559292

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)6609室

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