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GT20J321

High Power Switching Applications Fast Switching Applications

HighPowerSwitchingApplications FastSwitchingApplications ?Fourth-generationIGBT ?Enhancementmodetype ?Fastswitching(FS):Operatingfrequencyupto50kHz(reference) Highspeed:tf=0.04μs(typ.) Lowswitchingloss:Eon=0.40mJ(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

GT20J321

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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GT20J321

Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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GT20J321_06

Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications

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20J321

SiliconNChannelIGBTHighPowerSwitchingApplications

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    GT20J321

  • 制造商：

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述：

    TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 20A 3PIN TO-220(NIS) - Rail/Tube

  • 功能描述：

    IGBT 600V TO-220NIS

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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TO-220NIS
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TOSHIBA/東芝
24+
30000
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TOSHIBA/東芝
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TO-220NIS
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更多GT20J321供應(yīng)商 更新時間2024-12-25 16:10:00

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