GT10Q101中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
GT10Q101 |
功能描述 | Bipolar Small-Signal Transistors |
文件大小 |
1.58274 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
73 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Toshiba Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
TOSHIBA【東芝】 |
中文名稱 | 株式會社東芝官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-4-11 16:48:00 |
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GT10Q101規(guī)格書詳情
MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F
Toshiba 30F126 GT30F126
Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html
Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131)
: http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf
產(chǎn)品屬性
- 型號:
GT10Q101
- 制造商:
Toshiba America Electronic Components
- 功能描述:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
- 功能描述:
IGBT 1200V TO-3P(N)
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOS |
25+ |
TO-3P(N) |
12300 |
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