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GT10J321

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

GT10J321

TOSHIBAInsulatedGateBipolarTransistorSiliconNChanenelIGBT

HighPowerSwitchingApplications FastSwitchingApplications ?Fourth-generationIGBT ?Enhancementmodetype ?Fastswitching(FS):Operatingfrequencyupto50kHz(reference) ?Highspeed:tf=0.03μs(typ.) ?Lowswitchingloss:Eon=0.26mJ(typ.):Eoff=0.18mJ(typ.) ?Lowsatu

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

GT10J321

SiliconNChannelIGBTHighPowerSwitchingApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    GT10J321(Q)

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 IGBT, 600V, 10A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多GT10J321(Q)供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-16 20:00:00

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