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GT10J303中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

GT10J303
廠商型號

GT10J303

功能描述

N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

文件大小

291.57 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-16 20:00:00

GT10J303規(guī)格書詳情

HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

MOTOR CONTROL APPLICATIONS

Third-generation IGBT

Enhancement mode type

High speed : tf= 0.30μs (Max.) (IC= 10A)

Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.7V (Max.) (IC= 10A)

FRD included between emitter and collector

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    GT10J303

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 10A 3PIN TO-220(NIS) - Rail/Tube

  • 功能描述:

    IGBT 600V TO-220NIS

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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