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GSS9926E	文件：299.29 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GT9926NW	文件：468.13 Kbytes Page：10 Pages	MinisizeofDiscretesemiconductorelements	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
GTC9926	文件：325.1 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GTC9926E	文件：363.27 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GTS9926	文件：334.32 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheGTS9926providesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,ultralowon-resistanceandcost-effectiveness. Features Lowon-resistance Capableof2.5Vgatedrive *Lowdrivecurrent	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GTS9926E	文件：363.27 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheGTS9926Eprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,ultralowon-resistanceandcost-effectiveness. Features Lowon-resistance Capableof2.5Vgatedrive Lowdrivecurrent Surfacemountpackage	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
H9926CS	文件：45.67 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A) Description ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofadvancedtrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V-10V) Features ?RDS(on)=40m?@VGS=2.5V,ID=5.2A;RDS(on)=30m?@VGS=4.5V,ID=6A ?HighDensit	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H9926CTS	文件：44.8 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A) Description ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofadvancedtrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V-10V) Features ?RDS(on)=40m?@VGS=2.5V,ID=5.2A;RDS(on)=30m?@VGS=4.5V,ID=6A ?HighDensit	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H9926S	文件：45.67 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A) Description ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofadvancedtrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V-10V) Features ?RDS(on)=40m?@VGS=2.5V,ID=5.2A;RDS(on)=30m?@VGS=4.5V,ID=6A ?HighDensit	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H9926TS	文件：44.8 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A) Description ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofadvancedtrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V-10V) Features ?RDS(on)=40m?@VGS=2.5V,ID=5.2A;RDS(on)=30m?@VGS=4.5V,ID=6A ?HighDensit	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
HM9926B	文件：491.38 Kbytes Page：7 Pages	DualN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司	HMSEMI
JMTP9926A	文件：314.702 Kbytes Page：5 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江蘇捷捷微電子股份有限公司 PDF上傳者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
KD9926	文件：984.39 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
KI9926A	文件：483.71 Kbytes Page：2 Pages	DualN-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
LM9926B	文件：569.86 Kbytes Page：3 Pages	20VDS竊??2VGS竊?A(ID)DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
LO9926B	文件：560.92 Kbytes Page：3 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
MAX9926	文件：348.79 Kbytes Page：23 Pages	VariableReluctanceSensorInterfaceswithDifferentialInputandAdaptivePeakThreshold	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導體	Maxim
MAX9926	文件：527.96 Kbytes Page：23 Pages	VariableReluctanceSensorInterfaceswithDifferentialInputandAdaptivePeakThreshold	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導體	Maxim
MAX9926	文件：399.76 Kbytes Page：23 Pages	VariableReluctanceSensorInterfaceswithDifferentialInputandAdaptivePeakThreshold	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導體	Maxim
MAX9926U	文件：1.15152 Mbytes Page：7 Pages	IncludesLowpassSensorInputFilters	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導體	Maxim

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詳細參數(shù)

型號：
GSS9926E
制造商：
GTM
制造商全稱：
GTM
功能描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市永貝爾科技有限公司	GSS9926E	GTM	23+	NA	39960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
深圳兆威電子有限公司	GSS9926E	GTM	23+	SOP-8	63000	原裝正品現(xiàn)貨	詢價
貿澤芯城（深圳）電子科技有限公司	GSS9926E	GTM	23+	SOP-8	3240	一級代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、	詢價
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深圳市河鋒鑫科技有限公司	GSS9946	GTM	SOP-8	22+	6000	十年配單,只做原裝	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	GSS9946	GTM	2022+	SOP-8	30000	進口原裝現(xiàn)貨供應,原裝假一罰十	詢價
深圳市威爾健半導體有限公司	GSS9971	GTM	23+	SOP-8	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳廊盛科技有限公司	GSS9971	GTM	2022	SOP-8	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價
深圳市特萊科技有限公司	GSS9971	GTM	24+23+	SOP-8	12580	16年現(xiàn)貨庫存供應商終端BOM表可配單提供樣品	詢價
深圳市得捷芯城科技有限公司	GSS9971	GTM	23+	NA/	53250	原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票	詢價

更多GSS9926E供應商更新時間2024-10-25 13:58:00

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