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GRM155B31H103KA88

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

FEATURES ?TheNESG3033M14isanidealchoiceforlownoise,high-gainamplification NF=0.6dBTYP.@VCE=2V,IC=6mA,f=2.0GHz ?Maximumstablepowergain:MSG=20.5dBTYP.@VCE=2V,IC=15mA,f=2.0GHz ?SiGeHBTtechnology(UHS3)adopted:fmax=110GHz ?Thisproduct

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
村田/MURATA
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MURATA(村田)
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村田muRata
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更多GRM155B31H103KA88供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-9 8:50:00

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