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GNE1008TB中文資料羅姆數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

GNE1008TB
廠商型號(hào)

GNE1008TB

功能描述

GaN Enhancement Mode Power Transistor

文件大小

1.49635 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Rohm
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ROHM羅姆

中文名稱

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2024-12-28 23:00:00

GNE1008TB規(guī)格書詳情

Features

?Reliable and easy to use with DFN package

?150V E-mode GaN FET

?High Gate Voltage Maximum Rating

Application

?IR LED, LD driver

?Half Bridge topologies

?AC/DC Converters (secondary side)

?Class D Audio amplifiers

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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