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GKG10086

包裝：散裝 類別：電容器 微調器，可變電容器 描述：CAP TRIMMER 3-10PF 100V SMD

Sprague-Goodman

Sprague Goodman

GKG10086

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：電容器 微調器，可變電容器 描述：CAP TRIMMER 3-10PF 100V SMD

EW Electronics

EW Electronics

EW Electronics

GKG10086-05

包裝：散裝 類別：電容器 微調器，可變電容器 描述：CAP TRIM 3-10PF 100V SMD

Sprague-Goodman

Sprague Goodman

10086

AMERICANCORDSET;230cmLONGNEMA5-15PTOIEC60320C13,LEFTHANDED

POWERDYNAMICS

PowerDynamics, Inc

A10086CHNF

ContinuousHingewithClamps,Type4

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

A10086SC

ScrewCover,Type12

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

APT10086BLC

PowerMOSVITMisanewgenerationoflowgatecharge,highvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.

PowerMOSVITMisanewgenerationoflowgatecharge,highvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.LowergatechargeisachievedbyoptimizingthemanufacturingprocesstominimizeCissandCrss.LowergatechargecoupledwithPowerMOSVITMoptimizedgatelayout,deliversexceptionally

ADPOW

Advanced Power Technology

APT10086BVFR

PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.

PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FastRecoveryBody

ADPOW

Advanced Power Technology

APT10086BVFR

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.86Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

APT10086BVR

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.86Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

APT10086BVR

PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.

PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FasterSwitching

ADPOW

Advanced Power Technology

APT10086SLC

PowerMOSVITMisanewgenerationoflowgatecharge,highvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.

PowerMOSVITMisanewgenerationoflowgatecharge,highvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.LowergatechargeisachievedbyoptimizingthemanufacturingprocesstominimizeCissandCrss.LowergatechargecoupledwithPowerMOSVITMoptimizedgatelayout,deliversexceptionally

ADPOW

Advanced Power Technology

APT10086SVR

PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.

PowerMOSV?isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV?alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. ?FasterSwitching

ADPOW

Advanced Power Technology

GKY10086

CERAMICDIELECTRICTRIMMERCAPACITORS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

WPANT10086

GPSL1bandSMTAntenna

WPI

World Produts Inc.

產品屬性

  • 產品編號：

    GKG10086

  • 制造商：

    Sprague-Goodman

  • 類別：

    電容器 > 微調器，可變電容器

  • 系列：

    SURFTRIM? GKG

  • 包裝：

    散裝

  • 電容范圍：

    3 ~ 10pF

  • 調節(jié)類型：

    頂部

  • 介電材料：

    陶瓷

  • 不同頻率時 Q 值：

    500 @ 1MHz

  • 大小 / 尺寸：

    0.177" 長 x 0.157" 寬（4.50mm x 4.00mm）

  • 高度 - 安裝（最大值）：

    0.118"（3.00mm）

  • 工作溫度：

    -25°C ~ 85°C

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 特性：

    通用

  • 描述：

    CAP TRIMMER 3-10PF 100V SMD

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多GKG10086供應商 更新時間2024-12-26 11:06:00

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