零件編號 | 下載&訂購 | 功能描述 | 制造商&上傳企業(yè) | LOGO |
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GES5819 | Signal Transistors | GESS GE Solid State | GESS | |
GES5819 | Silicon Transistors | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
Small Signal Transistors | CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導體 | Central | ||
LithiumbatterychargeanddischargeSOC | HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司 | HMSEMI | ||
1.0AMP.SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS Features ?LowForwardVoltageDrop ?HighCurrentCapability ?HighReliability ?HighSurgeCurrentCapability | HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司 | HSMC | ||
1.0AmpSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS Features ■EXTREMELYLOWVF ■LOWPOWERLOSS-HIGHEFFICIENCY ■LOWSTOREDCHARGE;MAJORITYCARRIERCONDUCTION ■MEETSULSPECIFICATION94V-0 | FCIFirst Components International 戈采戈采企業(yè)股份有限公司 | FCI | ||
MINIATURESCHOTTKYBARRIERRECTIFIER VOLTAGERANGE20TO40Volts CURRENT1.0Amperes FEATURES ?Lowswitchingnoise ?Lowforwardvoltagedrop ?Highcurrentcapability ?Highswitchingcapability ?Highreliability ?Highsurgecapability | CHENG-YICHENG-YI ELECTRONIC CO., LTD. 辰頤電子辰頤電子有限公司 | CHENG-YI | ||
Lowpowerloss/highefficient | LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司 | LEIDITECH | ||
SurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers Features SurgeOverloadRatingsto25AmperesPeak IdealforPrintedCircuitBoard ReliableLowCostConstructionUtilizingMoldedPlasticTechniqueResultsinInexpensiveProduct | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司 | KEXIN | ||
SchottkyBarrierRectifierDiodes Features LowPowerLoss,HighEfficiency HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop HighSurgeCapability | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司 | KEXIN | ||
1.0AMP.SurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司 | TSC | ||
SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER | JINANJINGHENGJinan Jingheng (Group) Co.,Ltd 晶恒集團濟南晶恒電子有限責任公司 | JINANJINGHENG | ||
SURFACEMOUNT:SuperFastRecoverySchottky&BridgeRectifiers SUPERFASTRECOVERYDIODE SCHOTTKYDIODE GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIER | RFERFE international RFE國際公司RFE國際股份有限公司 | RFE | ||
SCHOTTKYBARRIER | EIC EIC discrete Semiconductors | EIC | ||
1.0AMP.SurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司 | TSC | ||
1.0AMP.SurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司 | TSC | ||
SurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司 | TSC | ||
1.0AMP.SurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers | LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司 | LUGUANG | ||
SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER | SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三陽電子三陽電子有限公司 | SAMYANG | ||
SchottkySurfaceMountRectifierSeries FEATURES Io1.0A VRRM20V-40V Highsurgecurrentcapability | RFERFE international RFE國際公司RFE國際股份有限公司 | RFE |
晶體管資料
- 型號:
- 別名:
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-N/P
- 性質(zhì):
低頻或音頻放大 (LF)_TR
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
50V
- 最大電流允許值:
0.75A
- 最大工作頻率:
>135MHZ
- 引腳數(shù):
3
- 可代換的型號:
2N5810,2N5811,2N5812,2N5813,2N5814,2N5815,2N5816,2N5817,2N5818,2N5819,2N5820,2N5821,2N5822,2N5823,
- 最大耗散功率:
0.5W
- 放大倍數(shù):
β>150
- 圖片代號:
A-20
- vtest:
50
- htest:
135000100
- atest:
0.75
- wtest:
0.5
詳細參數(shù)
- 型號:
GES5819
- 功能描述:
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 750MA I(C) | TO-92
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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GESS |
23+ |
NA |
39960 |
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詢價 | ||
23+ |
TO-92 |
32687 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
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harris |
16+ |
原廠封裝 |
10000 |
全新原裝正品,代理優(yōu)勢渠道供應,歡迎來電咨詢 |
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24+ |
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PANDUIT |
新 |
8 |
全新原裝 貨期兩周 |
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Panduit |
2022+ |
29 |
全新原裝 貨期兩周 |
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Panduit Corp |
2010+ |
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PANDUIT CORP |
21+ |
N/A |
2500 |
進口原裝,優(yōu)勢現(xiàn)貨 |
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PANDUIT CORP |
5 |
詢價 |