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GES5819

Signal Transistors

GESS

GE Solid State

GES5819

Silicon Transistors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

GES5819-J1

Small Signal Transistors

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導體

HM5819

LithiumbatterychargeanddischargeSOC

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司

HSMA5819

1.0AMP.SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS

Features ?LowForwardVoltageDrop ?HighCurrentCapability ?HighReliability ?HighSurgeCurrentCapability

HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics

華昕華昕科技有限公司

IN5819

1.0AmpSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS

Features ■EXTREMELYLOWVF ■LOWPOWERLOSS-HIGHEFFICIENCY ■LOWSTOREDCHARGE;MAJORITYCARRIERCONDUCTION ■MEETSULSPECIFICATION94V-0

FCIFirst Components International

戈采戈采企業(yè)股份有限公司

IN5819

MINIATURESCHOTTKYBARRIERRECTIFIER

VOLTAGERANGE20TO40Volts CURRENT1.0Amperes FEATURES ?Lowswitchingnoise ?Lowforwardvoltagedrop ?Highcurrentcapability ?Highswitchingcapability ?Highreliability ?Highsurgecapability

CHENG-YICHENG-YI ELECTRONIC CO., LTD.

辰頤電子辰頤電子有限公司

IN5819W

Lowpowerloss/highefficient

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

KLL5819

SurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers

Features SurgeOverloadRatingsto25AmperesPeak IdealforPrintedCircuitBoard ReliableLowCostConstructionUtilizingMoldedPlasticTechniqueResultsinInexpensiveProduct

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

KLL5819W

SchottkyBarrierRectifierDiodes

Features LowPowerLoss,HighEfficiency HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop HighSurgeCapability

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

LL5819

1.0AMP.SurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

LL5819

SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER

JINANJINGHENGJinan Jingheng (Group) Co.,Ltd

晶恒集團濟南晶恒電子有限責任公司

LL5819

SURFACEMOUNT:SuperFastRecoverySchottky&BridgeRectifiers

SUPERFASTRECOVERYDIODE SCHOTTKYDIODE GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIER

RFERFE international

RFE國際公司RFE國際股份有限公司

LL5819

SCHOTTKYBARRIER

EIC

EIC discrete Semiconductors

LL5819

1.0AMP.SurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

LL5819

1.0AMP.SurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

LL5819

SurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

LL5819

1.0AMP.SurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

LL5819

SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER

SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD.

三陽電子三陽電子有限公司

LL5819

SchottkySurfaceMountRectifierSeries

FEATURES Io1.0A VRRM20V-40V Highsurgecurrentcapability

RFERFE international

RFE國際公司RFE國際股份有限公司

晶體管資料

  • 型號:

    GES5819

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-N/P

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_TR

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    50V

  • 最大電流允許值:

    0.75A

  • 最大工作頻率:

    >135MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    2N5810,2N5811,2N5812,2N5813,2N5814,2N5815,2N5816,2N5817,2N5818,2N5819,2N5820,2N5821,2N5822,2N5823,

  • 最大耗散功率:

    0.5W

  • 放大倍數(shù):

    β>150

  • 圖片代號:

    A-20

  • vtest:

    50

  • htest:

    135000100

  • atest:

    0.75

  • wtest:

    0.5

詳細參數(shù)

  • 型號:

    GES5819

  • 功能描述:

    TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 750MA I(C) | TO-92

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多GES5819供應商 更新時間2024-12-25 10:44:00