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GE730	文件：314.1 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description TheGE730providethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220isuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplications.Thedeviceissuitedforswitchmodepowersupplies,DC-ACc	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
GE730	文件：317.62 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
GSP-730	文件：3.37985 Mbytes Page：2 Pages	GSP-7303GHzSPECTRUMANALYZER8:.GRF-1300RFandCOMMUNICATIONTRAINER	GWINSTEKGood Will Instrument Co., Ltd. 固緯電子固緯電子實業(yè)股份有限公司	GWINSTEK
HAL730	文件：1.02395 Mbytes Page：19 Pages	Hall-EffectSensorswithDirectionDetection	MICRONAS Micronas	MICRONAS
HAL730	文件：168.38 Kbytes Page：2 Pages	Hall-EffectSensorswithDirectionDetection	MICRONAS Micronas	MICRONAS
HAL730SF-E	文件：1.02395 Mbytes Page：19 Pages	Hall-EffectSensorswithDirectionDetection	MICRONAS Micronas	MICRONAS
HAL730SF-K	文件：1.02395 Mbytes Page：19 Pages	Hall-EffectSensorswithDirectionDetection	MICRONAS Micronas	MICRONAS
HFP730	文件：346.18 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription thesepowerMOSFETsisdesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers.AndDC-DC&DC-ACConvertersforTelecom,IndustrialandConsumerEnvironment Features ?5.5A,400V,RDS(on)	HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD 華汕電子器件汕頭華汕電子器件有限公司	Huashan
HFP730	文件：968.22 Kbytes Page：8 Pages	400VN-ChannelMOSFET FEATURES ?OriginativeNewDesign ?SuperiorAvalancheRuggedTechnology ?RobustGateOxideTechnology ?VeryLowIntrinsicCapacitances ?ExcellentSwitchingCharacteristics ?UnrivalledGateCharge:18nC(Typ.) ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerRDS(ON):0.8Ω(Typ.)@VGS=10V ?	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFP730F	文件：264.38 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET Features ?OriginativeNewDesign ?VeryLowIntrinsicCapacitances ?ExcellentSwitchingCharacteristics ?100AvalancheTested ?RoHSCompliant	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFP730S	文件：304.97 Kbytes Page：8 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology FEATURES ?OriginativeNewDesign ?SuperiorAvalancheRuggedTechnology ?RobustGateOxideTechnology ?VeryLowIntrinsicCapacitances ?ExcellentSwitchingCharacteristics ?UnrivalledGateCharge:17nC(Typ.) ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerRDS(ON):0.75Ω(Typ.)@VGS=10V ?	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFP730U	文件：208.41 Kbytes Page：8 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFS730	文件：914.4 Kbytes Page：7 Pages	400VN-ChannelMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFS730F	文件：264.38 Kbytes Page：9 Pages	400VN-ChannelMOSFET Features ?OriginativeNewDesign ?VeryLowIntrinsicCapacitances ?ExcellentSwitchingCharacteristics ?100AvalancheTested ?RoHSCompliant	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFS730S	文件：284.32 Kbytes Page：7 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFS730U	文件：318.57 Kbytes Page：8 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HIRF730	文件：46.63 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
HIRF730F	文件：46.63 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
HM730	文件：302.49 Kbytes Page：8 Pages	400VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司	HMSEMI
HM730F	文件：302.49 Kbytes Page：8 Pages	400VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司	HMSEMI

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詳細參數(shù)

型號：
GE730
制造商：
GTM
制造商全稱：
GTM
功能描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市安富世紀電子有限公司	GE768-1	IR	23+	DIP4	8000	只做原裝現(xiàn)貨	詢價
天津市博通航睿技術(shù)有限公司	GE768-1	IR	23+	DIP4	7000		詢價
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更多GE730供應商更新時間2025-1-10 19:17:00

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