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HEB1073

GENERALPURPOSETRANSISTOR

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰電子有限公司

ISF1073

N-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=23mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Switch-ModeandResonant-ModePowerSupplies ·DC-DCConverters ·PFCCircuits ·ACandDCMotorDrives ·RoboticsandServo

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

KTA1073T

EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(HIGHVOLTAGECONTROL,PLASMADISPLAY,NIXIETUBEDRIVER,CATHODERAYTUBEBRIGHTNESSCONTROL)

HIGHVOLTAGECONTROLAPPLICATIONS. PLASMADISPLAY,NIXIETUBEDRIVERAPPLICATIONS. CATHODERAYTUBEBRIGHTNESSCONTROLAPPLICATIONS. FEATURES ?HighVoltage:VCBO=-300V,VCEO=-300V ?LowSaturationVoltage:VCE(sat)=-0.5V(Max.) ?SmallCollectorOutputCapacitance:Cob=5.5pF(Typ.) ?Comp

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

LT1073

MicropowerDC/DCConverterAdjustableandFixed5V,12V

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導體

LT1073

MicropowerDC/DCConverterAdjustableandFixed5V,12V

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導體

LT1073

MicropowerDC-DCConverterAjustableandFixed5V,12V

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導體

LT1073C

MicropowerDC-DCConverterAjustableandFixed5V,12V

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導體

NGR1073

NGRSERIES–CANADA,NeutralGroundingResistorSystem

Description High-resistancegroundingpreventsmanyoftheproblems thatareassociatedwithungroundedandsolidlygrounded electricaldistributionandutilizationsystems.High-resistance groundingcanlimitpoint-of-faultdamage,eliminatetransient overvoltages,reducethearc-flashhazar

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

NTE1073

IntegratedCircuitAM−RFAmplifier,Mis,OSCFM−IFAmplifier

IntegratedCircuitAM?RFAmplifier,Mis,OSCFM?IFAmplifier

NTE

NTE Electronics

PEWAN1073

GainHorns

PASTERNACK

Pasternack Enterprises, Inc.

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更多GE1073供應商 更新時間2025-1-24 17:09:00

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