| 訂購(gòu)數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|
| 1+ |
- 廠家型號(hào)：
GD25S512MDYIGR
- 產(chǎn)品分類：
- 生產(chǎn)廠商：
- 庫(kù)存數(shù)量：
5200
- 產(chǎn)品封裝：
WSON8
- 生產(chǎn)批號(hào)：
21+
- 庫(kù)存類型：
- 更新時(shí)間：
2024-11-1 17:30:00
GD25S512MDYIGR 集成電路（IC）存儲(chǔ)器 GIGADEVICE/兆易創(chuàng)新
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書(shū)下載
原廠料號(hào)：GD25S512MDYIGR品牌：GIGADEVICE
21+
GD25S512MDYIGR是集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器。制造商GIGADEVICE/GigaDevice Semiconductor (HK) Limited生產(chǎn)封裝WSON8/8-WDFN 裸露焊盤(pán)的GD25S512MDYIGR存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào)：
GD25S512MDYIGR
- 制造商：
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
- 類別：
- 包裝：
托盤(pán)
- 存儲(chǔ)器類型：
非易失
- 存儲(chǔ)器格式：
閃存
- 技術(shù)：
FLASH - NOR
- 存儲(chǔ)容量：
512Mb（64M x 8）
- 存儲(chǔ)器接口：
SPI - 四 I/O
- 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：
50μs，2.4ms
- 電壓 - 供電：
2.7V ~ 3.6V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
8-WDFN 裸露焊盤(pán)
- 供應(yīng)商器件封裝：
8-WSON（6x8）
- 描述：
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
供應(yīng)商
- 企業(yè)：
深圳市星宇佳科技有限公司
- 商鋪：
- 聯(lián)系人：
陳先生
- 手機(jī)：
15361821905
- 詢價(jià)：
- 電話：
0755-82522195
- 地址：
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)華富路1004號(hào)南光大廈510
