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HCTS191D

RadiationHardenedSynchronous4-BitUp/DownCounter

Features ?3MicronRadiationHardenedCMOSSOS ?TotalDose200KRAD(Si) ?SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg ?SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s ?DoseRateUpset:>1010RAD(Si)/s20nsPulse ?Co

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瑞薩瑞薩科技有限公司

HCTS191D/SAMPLE

RadiationHardenedSynchronous4-BitUp/DownCounter

Description TheIntersilHCTS191MSisaRadiationHardenedasynchronouslypresettable4bitbinaryup/downsynchronouscounter. Features ?3MicronRadiationHardenedCMOSSOS ?TotalDose200KRAD(Si) ?SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg ?SingleEventUpset(SEU)Immunity

Intersil

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HCTS191DMSR

RadiationHardenedSynchronous4-BitUp/DownCounter

Description TheIntersilHCTS191MSisaRadiationHardenedasynchronouslypresettable4bitbinaryup/downsynchronouscounter. Presettingthecountertothenumberonthepresetdatainputs (P0-P3)isaccomplishedbyalowasynchronousparallelload input(PL).CountingoccurswhenPLishi

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HCTS191DMSR

RadiationHardenedSynchronous4-BitUp/DownCounter

Description TheIntersilHCTS191MSisaRadiationHardenedasynchronouslypresettable4bitbinaryup/downsynchronouscounter. Features ?3MicronRadiationHardenedCMOSSOS ?TotalDose200KRAD(Si) ?SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg ?SingleEventUpset(SEU)Immunity

Intersil

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HCTS191DMSR

RadiationHardenedSynchronous4-BitUp/DownCounter

Features ?3MicronRadiationHardenedCMOSSOS ?TotalDose200KRAD(Si) ?SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg ?SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s ?DoseRateUpset:>1010RAD(Si)/s20nsPulse ?Co

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HCTS191DSLASHSAMPLE

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Description TheIntersilHCTS191MSisaRadiationHardenedasynchronouslypresettable4bitbinaryup/downsynchronouscounter. Features ?3MicronRadiationHardenedCMOSSOS ?TotalDose200KRAD(Si) ?SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg ?SingleEventUpset(SEU)Immunity

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HCTS191HMSR

RadiationHardenedSynchronous4-BitUp/DownCounter

Description TheIntersilHCTS191MSisaRadiationHardenedasynchronouslypresettable4bitbinaryup/downsynchronouscounter. Features ?3MicronRadiationHardenedCMOSSOS ?TotalDose200KRAD(Si) ?SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg ?SingleEventUpset(SEU)Immunity

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HCTS191HMSR

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Description TheIntersilHCTS191MSisaRadiationHardenedasynchronouslypresettable4bitbinaryup/downsynchronouscounter. Presettingthecountertothenumberonthepresetdatainputs (P0-P3)isaccomplishedbyalowasynchronousparallelload input(PL).CountingoccurswhenPLishi

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HCTS191HMSR

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Features ?3MicronRadiationHardenedCMOSSOS ?TotalDose200KRAD(Si) ?SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg ?SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s ?DoseRateUpset:>1010RAD(Si)/s20nsPulse ?Co

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HCTS191K

RadiationHardenedSynchronous4-BitUp/DownCounter

Description TheIntersilHCTS191MSisaRadiationHardenedasynchronouslypresettable4bitbinaryup/downsynchronouscounter. Presettingthecountertothenumberonthepresetdatainputs (P0-P3)isaccomplishedbyalowasynchronousparallelload input(PL).CountingoccurswhenPLishi

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晶體管資料

  • 型號(hào)：

    GD191

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Ge-PNP

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    40V

  • 最大電流允許值：

    1.5A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號(hào)：

    AD162,AD262,3AD50A,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    E-44

  • vtest：

    40

  • htest：

    999900

  • atest：

    1.5

  • wtest：

    0

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
GIGA
20+
QFP
35830
原裝優(yōu)勢(shì)主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
 詢價(jià)
GIGA
23+
QFP
3000
一級(jí)代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、
 詢價(jià)
GIGA
23+
QFP
5000
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價(jià)
GIGA
23+
QFP
5000
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價(jià)
GIGA
23+
QFP
1036
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
GIGA
25+
QFP
1196
大量現(xiàn)貨庫存,提供一站式服務(wù)!
 詢價(jià)
INTEL
23+
INTEL
28520
原廠授權(quán)代理分銷現(xiàn)貨只做原裝正邁科技樣品支持現(xiàn)貨
 詢價(jià)
高登
24+
con
2000
GD/33F 繼電器
 詢價(jià)
UDE
兩年內(nèi)
NA
2730
實(shí)單價(jià)格可談
 詢價(jià)
24+
N/A
82000
一級(jí)代理-主營優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
 詢價(jià)
更多GD191供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-17 14:14:00

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