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GCMS010B120S1-E1

SiC N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=205A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=14mΩ(Max)@VGS=20V ·HighSpeedSwitchingSiCMOSFETs APPLICATIONS ·BatteryCharger ·PhotovoltaicInverter ·ServerPowerSupplies ·UninterruptiblePower

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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更多GCMS010B120S1-E1供應(yīng)商 更新時間2025-2-1 10:18:00

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