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GAN3R2-100CBE

Marking：3R2DCBE；Package：WLCSP8-SOT8072；100 V, 3.2 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a 3.5 mm x 2.13 mm Wafer Level Chip-Scale Package (WLCSP)

1.Generaldescription TheGAN3R2-100CBEisaageneralpurpose100V,3.2mΩGalliumNitride(GaN)FETina15 bumpWaferLevelChip-ScalePackage(WLCSP).Itisanormally-offe-modedeviceoffering superiorperformance. 2.Featuresandbenefits ?Enhancementmode-normally-offpowerswitc

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更多GAN3R2-100CBE供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-4 9:30:00

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