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GAN041-650WSB

Marking：GAN041；Package：SOT429；650 V, 35 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET in a TO-247 package

1.Generaldescription TheGAN041-650WSBisa650V,35mΩGalliumNitride(GaN)FETinaTO-247package.Itisa normally-offdevicethatcombinesNexperia’slatesthigh-voltageGaNHEMTH2technologyand low-voltagesiliconMOSFETtechnologies—offeringsuperiorreliabilityandperformance.

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