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G65P06T中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

G65P06T
廠商型號

G65P06T

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

G65P06

封裝外殼

TO-220

文件大小

891.98 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡稱

GOFORD谷峰半導(dǎo)體

中文名稱

谷峰半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-23 8:21:00

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G65P06T規(guī)格書詳情

Description

The G65P06T uses advanced trench technology to provide

excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide

variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
CMD
2020+
DIP-40
150
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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24+
DIP40
990000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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21+
DIP-40
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原裝現(xiàn)貨假一賠十
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