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G400P06T中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

G400P06T
廠商型號(hào)

G400P06T

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

G400P06

封裝外殼

TO-220

文件大小

902.57 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡(jiǎn)稱

GOFORD谷峰半導(dǎo)體

中文名稱

谷峰半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-24 20:00:00

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G400P06T規(guī)格書(shū)詳情

Description

The G400P06T uses advanced trench technology to provide

excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide

variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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