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G3407	文件：303.6 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description TheG3407usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellenton-resistancewithlowgatechange. ThedeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. Features LowerGateCharge SmallPackageOutline *RoHSCompliant	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
G3407	文件：321.15 Kbytes Page：4 Pages	P - C H A N N E L E N H A N C E M E N T M O D E P O W E R M O S F E T	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
G340742000	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：盒類別：光學(xué)器件反光鏡描述：LASER MIRROR DLHS353; FUSED SILI	ExcelitasExcelitas Technologies 埃賽力達(dá)	Excelitas
G340743000	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：盒類別：光學(xué)器件反光鏡描述：LASER MIRROR DLHS353; FUSED SILI	ExcelitasExcelitas Technologies 埃賽力達(dá)	Excelitas
G340745000	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：盒類別：光學(xué)器件反光鏡描述：LASER MIRROR DLHS353; FUSED SILI	ExcelitasExcelitas Technologies 埃賽力達(dá)	Excelitas
HM3407A	文件：533.34 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
IIRFB3407Z	文件：339.24 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFB3407Z	文件：339.24 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFB3407ZPBF	文件：249.57 Kbytes Page：8 Pages	HardSwitchedandHighFrequencyCircuits	IRF International Rectifier	IRF
IRFB3407ZPBF	文件：249.57 Kbytes Page：8 Pages	BatteryManagement	IRF International Rectifier	IRF
JMTL3407A	文件：188.322 Kbytes Page：4 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江蘇捷捷微電子股份有限公司 PDF上傳者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
K3407	文件：230.98 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(PIE-MOSV) SwitchingRegulatorApplications ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=0.48?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=7.5S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=450V) ?Enhancement-mode:Vth=2.4~3.4V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
KO3407	文件：52.49 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-4.1A ●RDS(ON)52m(VGS=-10V) ●RDS(ON)87m(VGS=-4.5V)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
LM3407	文件：370.8 Kbytes Page：18 Pages	LM3407350mA,ConstantCurrentOutputFloatingBuckSwitchingConverter	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
LM3407	文件：373.12 Kbytes Page：16 Pages	350mA,ConstantCurrentOutputFloatingBuckSwitchingConverterforHighPowerLEDs	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
LM3407	文件：387.88 Kbytes Page：16 Pages	350mA,ConstantCurrentOutputFloatingBuckSwitchingConverterforHighPowerLEDs	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
LM3407	文件：427.25 Kbytes Page：13 Pages	EvaluationBoardReferenceDesign	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
LM3407	文件：1.11988 Mbytes Page：22 Pages	ConstantCurrentOutputFloatingBuckSwitchingConverterforHighPowerLEDs	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
LM3407	文件：512.53 Kbytes Page：3 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeMOSFETs	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
LM3407A	文件：1.63342 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelSuperEnhancementModeMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
G3407
制造商：
GTM
制造商全稱：
GTM
功能描述：
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市永貝爾科技有限公司	G3407	GTM	23+	NA	39960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	G3407	GTM	1742+	SOT-23	98215	只要網(wǎng)上有絕對有貨!只做原裝正品!	詢價(jià)
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深圳誠思涵科技有限公司	G3407	原裝GTM	19+	SOT-23	20000	自家現(xiàn)貨支持實(shí)單	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	G3407	GTM	20+	SOT-23	43000	原裝優(yōu)勢主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	G3407	原裝GTM	24+	SOT-23	35200	一級代理/放心采購	詢價(jià)
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深圳市宇創(chuàng)芯科技有限公司	G3407	GTM	22+	SOT-23	9600	原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實(shí)單!	詢價(jià)
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深圳市河鋒鑫科技有限公司	G3407	GTM	2022+	SOT-23	40000	原廠代理終端免費(fèi)提供樣品	詢價(jià)

更多G3407供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-17 14:26:00

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