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G20N120中文資料Intersil數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

G20N120
廠商型號(hào)

G20N120

功能描述

63A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

文件大小

93.09 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Intersil Corporation
企業(yè)簡稱

Intersil

中文名稱

Intersil Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-29 14:16:00

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G20N120規(guī)格書詳情

63A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

The HGTG20N120CND is a Non-Punch Through (NPT) IGBT design. This is a new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on state conduction loss of a bipolar transistor.

Features

?63A, 1200V, TC = 25oC

?1200V Switching SOA Capability

?Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 340ns at TJ = 150oC

?Short Circuit Rating

?Low Conduction Loss

?

?

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    G20N120

  • 制造商:

    INTERSIL

  • 制造商全稱:

    Intersil Corporation

  • 功能描述:

    63A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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