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G2012中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

G2012
廠商型號

G2012

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識

G2012

封裝外殼

DFN2/2-6L

文件大小

937.57 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡稱

GOFORD谷峰半導(dǎo)體

中文名稱

谷峰半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-4-8 23:00:00

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G2012規(guī)格書詳情

Description

The G2012 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

Application

? Power switch

? DC/DC converters

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
LITEON/光寶
24+
NA/
4876
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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TO-220F
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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TO220
990000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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TO220
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原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售
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十五年行業(yè)誠信經(jīng)營,專注全新正品
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