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G18P03S中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

G18P03S
廠商型號

G18P03S

功能描述

P-Channel Trench Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

G18P03

封裝外殼

SOP-8

文件大小

2.09989 Mbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡稱

GOFORD谷峰半導(dǎo)體

中文名稱

谷峰半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-2-19 20:02:00

G18P03S規(guī)格書詳情

General Description

The G18P03S uses advanced trench technology to provide

excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate

voltages as low as -5V. This device is suitable for use as a

wide variety of applications.

Features

High Power and current handing capability

Surface Mount Package

RoHS Compliant

Application

● DC-DC converter

● Load switch

● Power management

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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