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G18P03D3中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

G18P03D3
廠商型號

G18P03D3

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標識

G18P03

封裝外殼

DFN3X3-8L

文件大小

644.41 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡稱

GOFORD谷峰半導(dǎo)體

中文名稱

谷峰半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-2-19 20:02:00

G18P03D3規(guī)格書詳情

Description

The G18P03D3 uses advanced trench technology to provide

excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide

variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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