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G120P06M

Marking：G120P06；Package：TO-263；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG120P06Musesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

C120P06QE

HighFrequencyRectification

Construction:SchottkyBarrierDiode Application:HighFrequencyRectification

NIEC

Nihon Inter Electronics Corporation

G120P06T

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheG120P06Tusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

UTT120P06

120A,60VP-CHANNELPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

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更多G120P06M供應(yīng)商 更新時間2025-3-31 11:06:00

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