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G10N03S中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

G10N03S
廠商型號

G10N03S

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標識

G10N03

封裝外殼

SOP-8

文件大小

1.10788 Mbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡稱

GOFORD谷峰半導(dǎo)體

中文名稱

谷峰半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-4-10 20:00:00

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G10N03S規(guī)格書詳情

Description

The G10N03S uses advanced trench technology to provide

excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide

variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FAIRCHILD/仙童
25+
TO-247
122
原裝正品,假一罰十!
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TO3P
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進口原裝
23+
TO-247
3000
全新原裝
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12+
TO-3P
2500
原裝現(xiàn)貨/特價
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25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
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23+
TO-220
8000
只做原裝現(xiàn)貨
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