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G075N06MI中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

G075N06MI
廠商型號(hào)

G075N06MI

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

G075N06I

封裝外殼

TO-263

文件大小

848.13 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡稱

GOFORD谷峰半導(dǎo)體

中文名稱

谷峰半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-4 23:00:00

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G075N06MI規(guī)格書詳情

Description

The G075N06MI uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in

a wide variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
STE(松田)
24+
插件,P=10mm
8215
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原廠授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保
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