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G05P06LA中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

G05P06LA
廠商型號

G05P06LA

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識

G05P06

封裝外殼

SOT-23-3L

文件大小

775.6 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡稱

GOFORD谷峰半導(dǎo)體

中文名稱

谷峰半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-4-29 22:59:00

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G05P06LA規(guī)格書詳情

Description

The G05P06LA uses advanced trench technology to provide

excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide

variety of applications.

AEC-Q101 Qualified

Application

l Power switch

l DC/DC converters

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