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FZT694B分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

FZT694B
廠商型號

FZT694B
參數(shù)屬性

FZT694B 封裝/外殼為TO-261-4，TO-261AA；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 120V 1A SOT223-3
功能描述

SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM
封裝外殼

TO-261-4，TO-261AA
文件大小

111.08 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 Diodes Incorporated
企業(yè)簡稱

DIODES

中文名稱

Diodes Incorporated官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-27 22:30:00
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FZT694B規(guī)格書詳情

Features

? BVCEO > 120V

? BVCBO > 120V

? IC = 1A Continuous Current

? hFE > 400 for High Gain @ 0.2A

? Very Low Saturation Voltage

? Complementary PNP Type: FZT795A

? Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

? Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

? Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Applications

? Darlington Replacement

? Relay and Solenoid Driver

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    FZT694BTC

  • 制造商：

    Diodes Incorporated

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    500mV @ 5mA，400mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    150 @ 400mA，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    130MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-261-4，TO-261AA

  • 供應商器件封裝：

    SOT-223-3

  • 描述：

    TRANS NPN 120V 1A SOT223-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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