首頁(yè)>FZ2000R33HE4BOSA1>詳情

FZ2000R33HE4 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - IGBT - 模塊 INFINEON/英飛凌

FZ2000R33HE4參考圖片

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：FZ2000R33HE4品牌：Infineon/英飛凌

全新原裝深圳倉(cāng)庫(kù)現(xiàn)貨有單必成

FZ2000R33HE4是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商Infineon/英飛凌/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝AG-IHVB190-3/模塊的FZ2000R33HE4晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對(duì)稱式橋； 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

  • 芯片型號(hào)：

    FZ2000R33HE4

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    10 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    739.62 kb

  • 資料說(shuō)明：

    IHM-B Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    FZ2000R33HE4BOSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 系列：

    IHM-B

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 配置：

    單開關(guān)

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 15V，2kA（標(biāo)準(zhǔn)）

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻：

    無(wú)

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    AG-IHVB190-3

  • 描述：

    IGBT MOD IHV IHM T XHP 3 3-6 5K

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市斌能達(dá)電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱先生

  • 手機(jī)：

    15986652922

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    15986652922

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)501棟405

相近型號(hào)