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FTR-LYCA048YSK	文件：416.47 Kbytes Page：7 Pages	POWER RELAY 1 POLE - 6A (Medium Load Control) SLIM TYPE	FujitsuFujitsu Component Limited. 富士通富士通株式會社	Fujitsu
FTR-LYCA048YSK	文件：618.75 Kbytes Page：10 Pages	POWER RELAY 1 POLE - 6A (MEDIUM LOAD CONTROL) SLIM TYPE	FujitsuFujitsu Component Limited. 富士通富士通株式會社	Fujitsu
GFC048	文件：126.59 Kbytes Page：1 Pages	NChannelPowerMOSFETwithextremelylowRDS(on)	GSG Gunter Seniconductor GmbH.	GSG
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GPCE048A-NnnV-C	文件：3.16977 Mbytes Page：25 Pages	16-bitSoundControllerWith24KX16ROM	GENERALPLUS Generalplus Technology Inc.	GENERALPLUS
HMC-C048	文件：258.25 Kbytes Page：6 Pages	LOWNOISEAMPLIFIERMODULE,5-9GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
IIRFP048N	文件：334.92 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?UltraLowOn-resistance ?FastSwitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤16m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
ILSEU-Gi048-D	文件：120.45 Kbytes Page：2 Pages	ExternalMountHydrostaticLevelTransmitter	CYNERGY3 Cynergy3 Co	CYNERGY3
IRFP048	文件：444.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFP048	文件：1.58435 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集團	TFUNK
IRFP048	文件：1.57958 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFP048	文件：1.57958 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFP048	文件：1.55765 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFP048	文件：174.09 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=0.018ohm,Id=70A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ●Dynamicdv/dtRating ●IsolatedCentralMountingHole ●175°COperatingTemperature ●Ease	IRF International Rectifier	IRF
IRFP048	文件：1.61131 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFP048	文件：896.81 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Isolatedcentralmountinghole ?175°Coperatingtemperature ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutp	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFP048N	文件：117.23 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.016ohm,Id=64A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP048N	文件：334.92 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?UltraLowOn-resistance ?FastSwitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤16m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IRFP048NPBF	文件：1.52507 Mbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFP048NPBF	文件：1.52411 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF

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更多FTR-LYCA048YSK供應商更新時間2025-1-16 9:18:00

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