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FTD2114KWLT1G中文資料FS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FTD2114KWLT1G
廠商型號

FTD2114KWLT1G

功能描述

Epitaxial planar type NPN silicon transistor

絲印標識

BW

封裝外殼

SOT-23

文件大小

126.58 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 First Silicon Co., Ltd
企業(yè)簡稱

FS

中文名稱

First Silicon Co., Ltd官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-2-10 11:10:00

FTD2114KWLT1G規(guī)格書詳情

Features

1) High DC current gain.

hFE = 1200 (Typ.)

2) High emitter-base voltage.

VEBO =12V (Min.)

3) Low VCE(sat).

VCE (sat) = 0.18V (Typ.)

(IC / IB = 500mA / 20mA)

4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FTD
23+
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