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FTD2114KWLT1G中文資料FS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
FTD2114KWLT1G |
功能描述 | Epitaxial planar type NPN silicon transistor |
絲印標(biāo)識(shí) | |
封裝外殼 | SOT-23 |
文件大小 |
126.58 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
4 頁 |
生產(chǎn)廠商 | First Silicon Co., Ltd |
企業(yè)簡稱 |
FS |
中文名稱 | First Silicon Co., Ltd官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-5-31 23:01:00 |
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FTD2114KWLT1G規(guī)格書詳情
Features
1) High DC current gain.
hFE = 1200 (Typ.)
2) High emitter-base voltage.
VEBO =12V (Min.)
3) Low VCE(sat).
VCE (sat) = 0.18V (Typ.)
(IC / IB = 500mA / 20mA)
4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IPS |
24+ |
NA/ |
729 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
IPS |
25+ |
SOT-252 |
2500 |
原裝正品,假一罰十! |
詢價(jià) | ||
FIRSTSILICON |
23+ |
SOT-23 |
57678 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
TEConnectivity |
新 |
5 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價(jià) | |||
FS |
24+ |
SOT235 |
90000 |
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IPS |
1728+ |
TO-252 |
8500 |
只做原裝進(jìn)口,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IPS |
2022+ |
TO-252 |
30000 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十 |
詢價(jià) | ||
VBsemi(臺(tái)灣微碧) |
2447 |
TO-252 |
105000 |
2500個(gè)/圓盤一級(jí)代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨, |
詢價(jià) | ||
IPS |
1932+ |
TO-252 |
1610 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
I |
TO-252 |
22+ |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢價(jià) |