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FTD1781KRLT3G中文資料FS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FTD1781KRLT3G
廠商型號

FTD1781KRLT3G

功能描述

Medium Power Transistor

絲印標(biāo)識

AFR

封裝外殼

sot-23

文件大小

109.68 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 First Silicon Co., Ltd
企業(yè)簡稱

FS

中文名稱

First Silicon Co., Ltd官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-2-9 15:50:00

FTD1781KRLT3G規(guī)格書詳情

Features

1) Very low VCE(sat).

VCE(sat) 0.4 V (Typ.)

(IC / IB = 500mA / 50mA)

2) High current capacity in compact package.

3) Complements the FTB1197K

4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.

Structure

Epitaxial planar type

NPN silicon transistor

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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