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FSYC260R	文件：48.83 Kbytes Page：8 Pages	Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,iscombi	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSYC260R1	文件：48.83 Kbytes Page：8 Pages	Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,iscombi	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSYC260R3	文件：48.83 Kbytes Page：8 Pages	Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,iscombi	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSYC260R4	文件：48.83 Kbytes Page：8 Pages	Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticular,iscombi	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FT260	文件：2.30316 Mbytes Page：58 Pages	FutureTechnologyDevicesInternationalLtd.	FTDIFuture Technology Devices International Ltd. 飛特帝亞英商飛特帝亞有限公司	FTDI
FT260Q	文件：2.41188 Mbytes Page：61 Pages	HID-classUSBtoUART/I2CBridgeIC	FTDIFuture Technology Devices International Ltd. 飛特帝亞英商飛特帝亞有限公司	FTDI
FT260Q-R	文件：2.41188 Mbytes Page：61 Pages	HID-classUSBtoUART/I2CBridgeIC	FTDIFuture Technology Devices International Ltd. 飛特帝亞英商飛特帝亞有限公司	FTDI
FT260Q-x	文件：2.41188 Mbytes Page：61 Pages	HID-classUSBtoUART/I2CBridgeIC	FTDIFuture Technology Devices International Ltd. 飛特帝亞英商飛特帝亞有限公司	FTDI
FT260S	文件：2.41188 Mbytes Page：61 Pages	HID-classUSBtoUART/I2CBridgeIC	FTDIFuture Technology Devices International Ltd. 飛特帝亞英商飛特帝亞有限公司	FTDI
FT260S-U	文件：2.41188 Mbytes Page：61 Pages	HID-classUSBtoUART/I2CBridgeIC	FTDIFuture Technology Devices International Ltd. 飛特帝亞英商飛特帝亞有限公司	FTDI

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
FSYC260R
制造商：
INTERSIL
制造商全稱：
Intersil Corporation
功能描述：
Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市星佑電子有限公司	FSYC260R1	HAR	05+	原廠原裝	4290	只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價(jià)
深圳市賽爾通科技有限公司	FSYC260R1	HAR	23+		65480		詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	FSYC9160R3	INTERSIL	14+	原廠封裝	9	宇航IC只做原裝假一罰十	詢價(jià)
深圳市宇集芯電子有限公司	FSYC9160R3	INTERSIL	24+	N/A	90000	一級(jí)代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、價(jià)格合理	詢價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	FSYC9160R3	INTERSIL	24+		10	全新原裝	詢價(jià)
深圳市近平電子有限公司	FSYC9160R3	TI	N/A	N/A	100	軍工品,原裝正品	詢價(jià)
深圳市賽芯源科技有限公司	FSYC9160R3	INTERSIL	2015+		99	原裝正品	詢價(jià)

更多FSYC260R供應(yīng)商更新時(shí)間2025-3-21 15:42:00

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