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IRFD020	文件：222.71 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION TheHVMDIPtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHVMDIPdesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness.HVMDIPsfeatureallofthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD020	文件：246.45 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集團(tuán)	TFUNK
IRFD020	文件：248.45 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Forautomaticinsertion ?Compact,endstackable ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Excellenttemperaturestability ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION TheHVMDIPtechnologyisthekeytoVishay’sadva	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFD020PBF	文件：222.71 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION TheHVMDIPtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHVMDIPdesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness.HVMDIPsfeatureallofthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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IRFR020	文件：1.71489 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETRPowerMOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	IRF International Rectifier	IRF
IRFR020	文件：1.84644 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques. FEATU	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR020	文件：1.05728 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR020	文件：1.05728 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR020	文件：4.37106 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques. FEATU	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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深圳市仟禧電子有限公司	FSV020	ZETEX/DIODES	22+	TO92	20000	保證原裝正品,假一陪十	詢價(jià)
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