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FSE838CT	文件：1.89946 Mbytes Page：16 Pages	Extra Low Capacitance Latch-up TVS Diode	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
FT838D	文件：375.13 Kbytes Page：10 Pages	FT838D	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
FT838MBD	文件：413.73 Kbytes Page：12 Pages	HighEfficiencyOff-LineCC/CVSwitch	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
FT838NB	文件：418.51 Kbytes Page：10 Pages	Low-PowerOff-LineCC/CVSwitch	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
KRC838E	文件：69.41 Kbytes Page：6 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION FEATURES WithBuilt-inBiasResistors. SimplifyCircuitDesign. ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess.	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KRC838U	文件：69.89 Kbytes Page：6 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors. ●SimplifyCircuitDesign. ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess.	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KSC838	文件：40.43 Kbytes Page：4 Pages	FMRadioRFAMP,MIX,CONV,OSC,IFAMP	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KSC838	文件：71.67 Kbytes Page：2 Pages	NPN(FMRADIORFAMP,MIX,CONV,OSC,IFAMP) FMRADIORFAMP,MIX,CONV,OSC,IFAMP HighCurrentGainBanwidthProductft=250MHz(Typ)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
KSC838	文件：44.94 Kbytes Page：4 Pages	FMRadioRFAMP,MIX,CONV,OSC,IFAMP	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KSC838	文件：44.94 Kbytes Page：4 Pages	FMRadioRFAMP,MIX,CONV,OSC,IFAMP	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KSC838OTA	文件：44.94 Kbytes Page：4 Pages	FMRadioRFAMP,MIX,CONV,OSC,IFAMP	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KSC838YTA	文件：44.94 Kbytes Page：4 Pages	FMRadioRFAMP,MIX,CONV,OSC,IFAMP	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
LT838	文件：171.54 Kbytes Page：3 Pages	PhotoDMOS-FETRelay Description TheLT838isa1-FormAsolidstaterelayinan6pinDIPpackagethatemploysoptically coupledMOSFETtechnologytoprovide3750V/5000Vofinputtooutputisolation.The opticallycoupledinputiscontrolledbyahighlyefficientGaAlAsinfraredLEDand MOSFETsontheoutputsid	LETEXLETEX technology corp 臺(tái)灣麗太麗太科技股份有限公司	LETEX
M-838	文件：3.50277 Mbytes Page：32 Pages	TORQUEPRODUCTS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
MA838	文件：314.12 Kbytes Page：13 Pages	SINGLEPHASEPULSEWIDTHMODULATIONWAVEFORMGENERATOR	ZARLINK Zarlink Semiconductor	ZARLINK
MRF838A	文件：14.04 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheMRF838AisaCommonEmitterDeviceDesignedforClassA,BandCAmplifierApplicationsupto1.0GHz. FEATURESINCLUDE: ?GoldMetallization ?EmitterBallasting ?HighGain	ASI Advanced Semiconductor	ASI
MUR838	文件：59.5 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒濟(jì)南晶恒電子有限責(zé)任公司	JINGHENG
MUR838	文件：56.6 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ?Fastswitchingforhighefficiency ?Lowforwardvoltagedrop ?Singlerectifierconstruction ?Highsurgecapability ?Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolaritypro	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒濟(jì)南晶恒電子有限責(zé)任公司	JINGHENG
MV838	文件：33.07 Kbytes Page：1 Pages	ABRUPTVARACTORDIODES ABRUPTVARACTORDIODES	KNOX Knox Semiconductor, Inc	KNOX
MZ838	文件：71.18 Kbytes Page：2 Pages	3WATTGLASSZENERDIODES FEATURES ●Microminiaturepackage. ●Voidlesshermeticallysealedglasspackage. ●Triplelayerpassivation. ●Metallurgicallybonded. ●Highperformancecharacteristics. ●Stableoperationattemperatureto200°C ●Verylowthermalimpedance.	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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更多FSE838CT供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-28 9:04:00

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